Yazar "Durak, Mustafa" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim
    Öğe
    İnce film üretiminde yenilikçi yaklaşım; Kemometrik yöntemle kimyasal biriktirme
    (Hatay Mustafa Kemal Üniversitesi, 2017) Durak, Mustafa; Yücel, Yasin
    Malzemelerin ince film formunda biriktirilmesi güneş pilleri, fotoiletkenler ve sensörler gibi çeşitli alanlara uygulanabildiğinden dolayı son yıllarda yoğun araştırma konusu haline gelmiştir. İnce filmler solvothermal, sprey piroliz, magnetron sıçratma, termal buharlaştırma, fotokimyasal depolama (PCD), sol-jel, ardışık iyonik tabaka adsorpsiyonu ve reaksiyonu (SILAR) ve kimyasal banyo depolama (CBD) gibi çeşitli teknikler ile hazırlanmaktadır. Bu yöntemler arasında, kimyasal banyo depolama metodu düşük maliyet, düşük depolama sıcaklığı, geniş yüzeylere kolayca kaplanması ve endüstriyel ölçeklerde uygulanabilir olması gibi çeşitli avantajlarından dolayı oldukça ilgi çeken yaklaşımdır. İnce filmlerin bant aralığı değerleri pH, karıştırma hızı ve depolama süresi gibi pek çok faktörden etkilenmektedir. Faktörler geleneksel olarak bir seferde tek faktör yöntemiyle ya da istatistiksel yöntemler ile optimize edilebilir. Geleneksel yöntemlerde diğer faktörler sabit tutulurken bir defada yalnız bir bağımsız değişkenin değiştirilmesini içerir. Yüzey analiz yöntemi (RSM) çoklu proses değişkenlerinin analizinde güçlü bir tekniktir. Çünkü geleneksel olan bir seferde tek faktör yöntemiyle kıyaslandığında daha az deneysel çalışmaya ihtiyaç duymaktadır. Ayrıca değişkenler arasındaki etkileşimler bu yöntemle tanımlanabilir ve ölçülebilir. Bu çalışmada kimyasal metotla PbS ince filmler üretilmiş ve ince film üretiminde etkili faktörler kemometrik yaklaşımla optimize edilmiştir. Faktör optimizasyonunda merkezi kompozit dizayn (CCD) ve yanıt yüzey analiz yöntemi (RSM) kullanılmıştır. Faktörlerin PbS ince film band aralığına etkilerini değerlendirmek için 5-seviyeli-3-faktörlü deneysel dizayn kullanılmıştır. Filmlerin morfolojik, yapısal ve optik özellkleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışını kırınımı (XRD) ve ultraviyole spektroskopisi (UV) ile araştırılmıştır.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Optimization of growth parameters for absorber material SnS thin films grown by SILAR method using response surface methodology
    (Springer, 2017) Yucel, Ersin; Yucel, Yasin; Durak, Mustafa
    In this paper, SnS films were deposited on glass substrates by successive ionic layer adsorption and reaction method under different deposition conditions. Quality of semiconductor thin films depends on their deposition parameters. The deposition process was optimized by the application of five-level-three-factor central composite design. Response surface methodology was used to optimize deposition parameters including temperature of precursor solutions (27-43 degrees C), dipping time (3-37 s) and dipping cycles (23-57 cycles) for deposition of the SnS thin films. The effect of the deposition parameters on the film growth has been studied using the experimental design methodology. The optimum fabrication conditions were found to be 40 degrees C (temperature), 23.4 s (dipping time) and 50 cycles (dipping cycles), respectively. Under optimum terms, the E-g value of SnS nanostructures calculated as 1.73 eV. The optimized value showed a good fit to the predicted value (1.67 eV). In addition, the structural, optical and morphological properties of thin films were investigated.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Process optimization for window material CdS thin films grown by a successive ionic layer adsorption and reaction method using response surface methodology
    (Elsevier Science Sa, 2016) Yucel, Ersin; Yucel, Yasin; Durak, Mustafa
    Successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method were used to synthesize of cadmium sulfide (CdS) thin films on support material under different synthesis conditions. Response surface methodology (RSM) based on central composite design (CCD) was used to design the experiment and to optimize selected operating parameters: temperature (degrees C), dipping time (s) and dipping cycles (cycles). Using RSM, second order polynomial equation was obtained for optical band gap of the films by multiple regression analysis. Analysis of variance revealed that the proposed model was adequate. According to the results of RSM, optimum synthesis conditions of CdS thin films were determined to be temperature of 30.1 degrees C, dipping time of 29.5 s and dipping cycles of 30 cycles. Band gap of CdS (2.43 eV) in the optimized synthesis condition was in good agreement with the value predicted by the second order polynomial equation (2.36 eV), thereby confirming its validity. The samples were characterized using X-Ray diffraction, scanning electron microscope and ultraviolet-visible spectroscopy measurements. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.