Farklı oranlarda al katkılı cuo ince filmlerin sılar yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorŞahin, Bünyamin
dc.contributor.authorTosun, Didem
dc.date.accessioned2024-05-28T11:17:19Z
dc.date.available2024-05-28T11:17:19Z
dc.date.issued2017en_US
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada, cam altlıklar üzerine katkısız ve farklı oranlarda Al katkılı CuO ince filmler SILAR yöntemiyle üretilmiştir. Al katkı oranlarının ve tavlama işleminin morfolojik, yapısal ve optiksel özellikler üzerine etkilerinin araştırılması için taramalı elektron mikroskobu (SEM), x-ışını kırınımı (XRD) ve UV-Vis spektrometresi ölçümleri yapılmıştır. SEM analizinden Al katkı oranlarının CuO ince filmlerin nano yapıdaki parçacıklarının büyüklüklerini artırdığı gözlenmiştir. Aynı zamanda tavlama işleminin de aynı şekilde parçacık büyüklüklerini artırdığı ancak parçacıklar arasındaki boşluğun azalmasına neden olduğu gözlenmiştir. XRD analizinden,hem Al katkı oranı arttıkça hem de tavlama işleminin de hesaplanan tane boyutunu artırma eğiliminde olduğu gözlenmiştir. Uv-Vis analizlerinden ise Al katkı oranı arttıkça CuO ince filmlerin bant aralığı değerlerinin arttığı gözlenmiştir. Tavlama işleminden sonra ise bant aralığı değerlerinin düştüğü ancak Al katkı oranı arttıkça yine aynı şekilde bant aralığı değerlerinin arttığı tespit edilmiştir.en_US
dc.description.abstractIn this study, CuO thin films undoped and Al-doped at different ratio were produced on glass substrates by SILAR method.The influence of Al doping concentration and annealing process on the morphological, structural and optical properties of title materials were studied by scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD) and UV-vis spectrophotometry measurements. From the SEM analysis, it was observed that Al addition increased the sizes of the particles in nano structure on CuO thin film. The annealing process also increased the particle sizes but decreased the voids between particles. From the XRD analysis, it was observed that Al addition tends to increase grain size. Annealing process tended to increase the grain size as well. It was also observed that the Al ratios increased the band gap values of CuO thin films. After the annealing process it was observed that the band gap values decreased but the band gap values increased in the same time as the Al addition increased.en_US
dc.identifier.endpage53en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=q3-d9QtLoVA2OMExHSkJpeqGt6FnzEQn_IL-2vITuelyHJ8xRgbMla0K4JEHuaol
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12483/5826
dc.identifier.yoktezid467614en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherHatay Mustafa Kemal Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleFarklı oranlarda al katkılı cuo ince filmlerin sılar yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonuen_US
dc.title.alternativeTo produce and characterization at different ratio al doped cuo thin films by silar methoden_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
467614.pdf
Boyut:
2.26 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

FBE Tez Koleksiyonu