Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2007
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Hatay Mustafa Kemal Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençli ve mobilitesi = 1450 n ? cm 2 /Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısal buharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklı Schottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için, oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindeki etkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seri direnç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engel yüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancak üçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göre oldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.
In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.
In this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
