Metal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorGüder, Hüsnü Salih
dc.contributor.authorÇebişli, Gökhan
dc.date.accessioned2024-05-28T11:17:21Z
dc.date.available2024-05-28T11:17:21Z
dc.date.issued2007en_US
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalısmada [100] yönelimine sahip, fosfor katkılı, r = 5 ~ 10W-cm özdirençli ve mobilitesi = 1450 n ? cm 2 /Vs olan n-tipi silisyum kristali kullanıldı. Isısal buharlastırma yöntemiyle Fe, Ni, Cd, Pb, Bi ve Sn metalleri kullanılarak altı farklı Schottky diyot yapısı olusturuldu. Diyotların elektriksel karakteristigini incelemek için, oda sıcaklıgında ve karanlıkta, -1V ile +1V gerilim aralıgında akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Nötral bölge direncinin diyotların akım-gerilim karakteristikleri üzerindeki etkilerini incelemek için altı farklı metotla idealite faktörü, engel yüksekligi ve seri direnç degerleri hesaplandı. Verilerin incelenmesinden, tüm diyotlar için engel yüksekligi ve seri direnç degerlerinin birbiri ile iyi bir uyum içinde oldugu, ancak üçüncü, dördüncü ve besinci metotlarda idealite faktörü degerlerinin digerlerine göre oldukça düsük ya da yüksek oldugu görülmüstür.en_US
dc.description.abstractIn this work, [100] oriented, phosphororus doped, n-type silicon crystal with a resistivity of r = 5 ~ 10W-cm and mobility of = 1450 n ? cm 2 /Vs has been used. Six different Schottky diodes have been fabricated using Fe, Ni, Cd, Pb, Bi and Sn metals by resistive evaporation method. In order to investigate the electrical characteristics of the diodes, current-voltage measurements have been done between -1V and +1V potential interval, at room temperature and in the dark. In order to investigate the effects of the notral region series resistance on the current-voltage characteristics of the diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have been calculated using six different methods. From the investigation of the data, barrier heights and series resistance values have been found to be in agreement for all the diodes, but the ideality factors evaluated by the third, fourth and fifth methods are seen to have either very low or high values than the others.en_US
dc.identifier.endpage79en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=biL2P3cCsPgUNjVdV2BsGKHO-jOAW2PPgCxgoBZGG_7K785zFGIPucVNHEu1jj7A
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12483/5846
dc.identifier.yoktezid179940en_US
dc.language.isoturen_US
dc.publisherHatay Mustafa Kemal Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleMetal/n-Si/Au-Sb schottky diyot yapılarında seri direnç etkisien_US
dc.title.alternativeSeries resistance effects in the metal/n-Si/Au-Sb schottky diode structuresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
179940.pdf
Boyut:
894.22 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

FBE Tez Koleksiyonu